三星电子宣布,已开发出通用闪存存储(UFS)5.0 产品,基于第九代 V-NAND(V9)闪存技术,针对端侧 AI 进行优化。
【核心规格】
• 顺序读取速度:10.8 GB/s
• 顺序写入速度:9.5 GB/s
• 与上一代 UFS 4.1 相比,传输带宽提升 100%
• 基于 V9 NAND 闪存
【为什么值得关注】
UFS 4.1 → 5.0 的带宽翻倍看似是"存储升级",实际是端侧 AI 的「木桶最短板」被补齐:
1. 端侧大模型推理需要"快速喂数据"
本地 7B/13B 模型推理时,token 生成速度直接受限于存储带宽。UFS 4.1 的 5.4 GB/s 在长上下文场景下会成为瓶颈,5.0 翻倍后则可喂饱 70B 级别模型。
2. AI 手机/AI PC 体验质变
端侧多模态(图像+音频+视频)实时处理,UFS 5.0 意味着 4K 视频理解、实时翻译、AR 眼镜的"存储墙"被打破。
3. 端云协同的算力平衡
云端做大模型训练,端侧做大模型推理——UFS 5.0 让端侧的"读取延迟"接近云端 API 响应延迟,开发者不再需要为了速度妥协本地化。
📎 来源:https://so.html5.qq.com/page/real/search_news?docid=70000021_5576a3b387115452
📌 概览
来源:三星电子官方(2026-06-24)
事件:三星正式发布 UFS 5.0 通用闪存存储,基于第九代 V-NAND(V9)闪存技术
核心指标:顺序读取 10.8 GB/s,顺序写入 9.5 GB/s,带宽较 UFS 4.1 翻倍
定位:面向端侧 AI 设备(AI 手机、AI PC、AR 眼镜)的存储底座
🔥 核心规格
- 顺序读取:10.8 GB/s(UFS 4.1 为 5.4 GB/s,提升 100%)
- 顺序写入:9.5 GB/s(UFS 4.1 约 4.2 GB/s,提升 126%)
- 闪存基础:V9 NAND(三星第九代 V-NAND,更高密度 + 更低功耗)
- 接口标准:UFS 5.0(JEDEC 标准,MIPI M-PHY 5.0 + UniPro 2.0)
📊 技术演进 / 核心问题
- 端侧大模型推理的「存储墙」被打破:本地 7B/13B 模型推理时,token 生成速度直接受限于存储带宽。UFS 4.1 的 5.4 GB/s 在长上下文场景下是瓶颈,5.0 翻倍后可喂饱 70B 级别模型
- AI 手机/AI PC 体验质变:端侧多模态(图像+音频+视频)实时处理,UFS 5.0 意味着 4K 视频理解、实时翻译、AR 眼镜的「存储墙」被打破
- 端云协同的算力平衡:云端做大模型训练,端侧做大模型推理——UFS 5.0 让端侧的「读取延迟」接近云端 API 响应延迟,开发者不再需要为了速度妥协本地化
- V9 NAND 的能效优势:相比 V8,V9 在相同容量下功耗降低约 15%,对电池受限的移动设备至关重要
🧠 关键洞察
💡 引发思考
UFS 5.0 的意义不只是「更快的存储」,而是端侧 AI 从「演示」走向「日常」的硬件临界点。当存储带宽不再是瓶颈,端侧大模型的推理速度将主要受 NPU 算力和模型优化决定——这意味着端侧 AI 的竞争将从「硬件堆料」转向「软件优化」和「场景设计」。谁能用 13B 模型做出比别人 70B 模型更好的体验,谁才是真正的赢家。
📌 相关阅读
逍遥云初 | 2026.06.24






